中国科学院机构知识库网格系统: InGaAsP/InGaP/GaAs SQW激光器的腔长对J_(th)和η

文献类型：期刊论文


作者	李忠辉 ; 李梅 ; 王玲 ; 高欣 ; 王玉霞 ; 张兴德
刊名	半导体光电
出版日期	2002-04-30
期号	02 页码:90-91+95
关键词	分别限制结构阈值电流密度外微分量子效率
公开日期	2013-03-11
源URL	[http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/29834]
专题	长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	李忠辉,李梅,王玲,等. InGaAsP/InGaP/GaAs SQW激光器的腔长对J_(th)和η_d的影响[J]. 半导体光电,2002(02):90-91+95.
APA	李忠辉,李梅,王玲,高欣,王玉霞,&张兴德.(2002).InGaAsP/InGaP/GaAs SQW激光器的腔长对J_(th)和η_d的影响.半导体光电(02),90-91+95.
MLA	李忠辉,et al."InGaAsP/InGaP/GaAs SQW激光器的腔长对J_(th)和η_d的影响".半导体光电 .02(2002):90-91+95.

入库方式： OAI收割

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