碳掺杂AlGaAs的MOCVD生长及808nm大功率激光器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王向武 ; 张岚 ; 黄子乾 ; 潘彬 ; 李肖 ; 李忠辉 |
| 刊名 | 固体电子学研究与进展
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| 出版日期 | 2004-06-30 |
| 期号 | 02页码:219-222 |
| 关键词 | 金属有机化合物化学气相沉积 铝镓砷 碳掺杂 激光器 |
| 公开日期 | 2013-03-11 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/29866]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王向武,张岚,黄子乾,等. 碳掺杂AlGaAs的MOCVD生长及808nm大功率激光器[J]. 固体电子学研究与进展,2004(02):219-222. |
| APA | 王向武,张岚,黄子乾,潘彬,李肖,&李忠辉.(2004).碳掺杂AlGaAs的MOCVD生长及808nm大功率激光器.固体电子学研究与进展(02),219-222. |
| MLA | 王向武,et al."碳掺杂AlGaAs的MOCVD生长及808nm大功率激光器".固体电子学研究与进展 .02(2004):219-222. |
入库方式： OAI收割
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