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碳掺杂AlGaAs的MOCVD生长及808nm大功率激光器

文献类型:期刊论文

作者王向武 ; 张岚 ; 黄子乾 ; 潘彬 ; 李肖 ; 李忠辉
刊名固体电子学研究与进展
出版日期2004-06-30
期号02页码:219-222
关键词金属有机化合物化学气相沉积 铝镓砷 碳掺杂 激光器
公开日期2013-03-11
源URL[http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/29866]  
专题长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式
GB/T 7714
王向武,张岚,黄子乾,等. 碳掺杂AlGaAs的MOCVD生长及808nm大功率激光器[J]. 固体电子学研究与进展,2004(02):219-222.
APA 王向武,张岚,黄子乾,潘彬,李肖,&李忠辉.(2004).碳掺杂AlGaAs的MOCVD生长及808nm大功率激光器.固体电子学研究与进展(02),219-222.
MLA 王向武,et al."碳掺杂AlGaAs的MOCVD生长及808nm大功率激光器".固体电子学研究与进展 .02(2004):219-222.

入库方式: OAI收割

来源:长春光学精密机械与物理研究所

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