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808nmInGaAsP单量子阱激光器激射波长的温度依赖性

文献类型:期刊论文

作者秦莉
刊名半导体学报
出版日期2005-09-08
期号09页码:1793-1797
关键词单量子阱激光器 808nm InGaAsP 温度特性
公开日期2013-03-11
源URL[http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/30224]  
专题长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式
GB/T 7714
秦莉. 808nmInGaAsP单量子阱激光器激射波长的温度依赖性[J]. 半导体学报,2005(09):1793-1797.
APA 秦莉.(2005).808nmInGaAsP单量子阱激光器激射波长的温度依赖性.半导体学报(09),1793-1797.
MLA 秦莉."808nmInGaAsP单量子阱激光器激射波长的温度依赖性".半导体学报 .09(2005):1793-1797.

入库方式: OAI收割

来源:长春光学精密机械与物理研究所

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