808nmInGaAsP单量子阱激光器激射波长的温度依赖性
文献类型:期刊论文
作者 | 秦莉![]() |
刊名 | 半导体学报
![]() |
出版日期 | 2005-09-08 |
期号 | 09页码:1793-1797 |
关键词 | 单量子阱激光器 808nm InGaAsP 温度特性 |
公开日期 | 2013-03-11 |
源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/30224] ![]() |
专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 秦莉. 808nmInGaAsP单量子阱激光器激射波长的温度依赖性[J]. 半导体学报,2005(09):1793-1797. |
APA | 秦莉.(2005).808nmInGaAsP单量子阱激光器激射波长的温度依赖性.半导体学报(09),1793-1797. |
MLA | 秦莉."808nmInGaAsP单量子阱激光器激射波长的温度依赖性".半导体学报 .09(2005):1793-1797. |
入库方式: OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。