LP-MOCVD生长(ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱的激子发光研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 申德振 ; 张振中
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| 刊名 | 发光学报
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| 出版日期 | 2003-08-30 |
| 期号 | 04页码:371-374 |
| 关键词 | 复合量子阱 隧穿几率 光致发光 |
| 公开日期 | 2013-03-11 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/30250]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 申德振,张振中. LP-MOCVD生长(ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱的激子发光研究[J]. 发光学报,2003(04):371-374. |
| APA | 申德振,&张振中.(2003).LP-MOCVD生长(ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱的激子发光研究.发光学报(04),371-374. |
| MLA | 申德振,et al."LP-MOCVD生长(ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱的激子发光研究".发光学报 .04(2003):371-374. |
入库方式： OAI收割
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