退火对富硅氮化硅薄膜的结构和发光的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张振中 ; 申德振
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| 刊名 | 液晶与显示
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| 出版日期 | 2005-02-26 |
| 期号 | 01页码:18-21 |
| 关键词 | PECVD 光致发光 Si团簇 悬键 |
| 公开日期 | 2013-03-11 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/30253]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张振中,申德振. 退火对富硅氮化硅薄膜的结构和发光的影响[J]. 液晶与显示,2005(01):18-21. |
| APA | 张振中,&申德振.(2005).退火对富硅氮化硅薄膜的结构和发光的影响.液晶与显示(01),18-21. |
| MLA | 张振中,et al."退火对富硅氮化硅薄膜的结构和发光的影响".液晶与显示 .01(2005):18-21. |
入库方式： OAI收割
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