LP-MOCVD生长大功率InGaAsP/GaAs量子阱激光器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李忠辉 ; 张宝顺 ; 杨进华 ; 张兴德 ; 王向武 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
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| 出版日期 | 2000-09-30 |
| 期号 | 03页码:232-235 |
| 关键词 | 分别限制结构 单量子阱 激光器 |
| 公开日期 | 2013-03-11 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/31024]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李忠辉,张宝顺,杨进华,等. LP-MOCVD生长大功率InGaAsP/GaAs量子阱激光器[J]. 功能材料与器件学报,2000(03):232-235. |
| APA | 李忠辉,张宝顺,杨进华,张兴德,&王向武.(2000).LP-MOCVD生长大功率InGaAsP/GaAs量子阱激光器.功能材料与器件学报(03),232-235. |
| MLA | 李忠辉,et al."LP-MOCVD生长大功率InGaAsP/GaAs量子阱激光器".功能材料与器件学报 .03(2000):232-235. |
入库方式： OAI收割
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