快速生长水溶晶体新方法—电渗析法
文献类型:期刊论文
作者 | 惠博然 |
刊名 | 硅酸盐通报
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出版日期 | 1988-06-29 |
期号 | 03页码:26-31 |
关键词 | 阴离子交换膜:6002 晶体生长装置:4309 离子迁移:3173 生长晶体:2921 新方法:2729 直流电场:2213 阳离子交换膜:2007 生长方法:1900 过饱和度:1846 溶剂分离:1838 |
公开日期 | 2013-03-11 |
源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/31220] ![]() |
专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 惠博然. 快速生长水溶晶体新方法—电渗析法[J]. 硅酸盐通报,1988(03):26-31. |
APA | 惠博然.(1988).快速生长水溶晶体新方法—电渗析法.硅酸盐通报(03),26-31. |
MLA | 惠博然."快速生长水溶晶体新方法—电渗析法".硅酸盐通报 .03(1988):26-31. |
入库方式: OAI收割
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