阳极氧化条件对多孔硅冷阴极场发射特性的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 丁邦建 ; 王维彪 |
| 刊名 | 液晶与显示
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| 出版日期 | 2000-12-30 |
| 期号 | 04页码:273-277 |
| 关键词 | 阳极氧化 场发射 多孔硅冷阴极 |
| 公开日期 | 2013-03-11 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/31227]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 丁邦建,王维彪. 阳极氧化条件对多孔硅冷阴极场发射特性的影响[J]. 液晶与显示,2000(04):273-277. |
| APA | 丁邦建,&王维彪.(2000).阳极氧化条件对多孔硅冷阴极场发射特性的影响.液晶与显示(04),273-277. |
| MLA | 丁邦建,et al."阳极氧化条件对多孔硅冷阴极场发射特性的影响".液晶与显示 .04(2000):273-277. |
入库方式： OAI收割
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