1.3μm和1.55μmGaInAsP/InP阵列激光器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 赵英杰 ; 黎荣晖 ; 晏长岭 ; 钟景昌 |
| 刊名 | 半导体光电
 |
| 出版日期 | 2000-04-30 |
| 期号 | 02页码:104-106 |
| 关键词 | 半导体激光器 大光腔结构 阵列激光器 脉冲峰值功率 |
| 公开日期 | 2013-03-11 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/31328]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵英杰,黎荣晖,晏长岭,等. 1.3μm和1.55μmGaInAsP/InP阵列激光器[J]. 半导体光电,2000(02):104-106. |
| APA | 赵英杰,黎荣晖,晏长岭,&钟景昌.(2000).1.3μm和1.55μmGaInAsP/InP阵列激光器.半导体光电(02),104-106. |
| MLA | 赵英杰,et al."1.3μm和1.55μmGaInAsP/InP阵列激光器".半导体光电 .02(2000):104-106. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。