具有高特征温度的808nm大功率半导体激光器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 高欣 ; 曲轶 ; 薄报学 ; 张宝顺 ; 张兴德 |
| 刊名 | 半导体光电
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| 出版日期 | 1999-12-30 |
| 期号 | 06页码:388-389+392 |
| 关键词 | 半导体激光器 液相外延 分别限制单量子阱 特征温度 |
| 公开日期 | 2013-03-11 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/31370]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高欣,曲轶,薄报学,等. 具有高特征温度的808nm大功率半导体激光器[J]. 半导体光电,1999(06):388-389+392. |
| APA | 高欣,曲轶,薄报学,张宝顺,&张兴德.(1999).具有高特征温度的808nm大功率半导体激光器.半导体光电(06),388-389+392. |
| MLA | 高欣,et al."具有高特征温度的808nm大功率半导体激光器".半导体光电 .06(1999):388-389+392. |
入库方式： OAI收割
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