宽带Ⅱ—Ⅵ族半导体和低维结构材料及其光学性能研究进展
文献类型：期刊论文
| 作者 | 范希武 |
| 刊名 | 光机电信息
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| 出版日期 | 2000-04-15 |
| 期号 | 04页码:6-9 |
| 关键词 | 光双稳器件:4774 半导体超晶格:4369 光学性能:3780 结构材料:3412 自由激子:2730 激子发射:2670 半导体激光器:2150 受激发射:2099 电场激发:2079 宽带:2055 |
| 公开日期 | 2013-03-11 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/31450]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 范希武. 宽带Ⅱ—Ⅵ族半导体和低维结构材料及其光学性能研究进展[J]. 光机电信息,2000(04):6-9. |
| APA | 范希武.(2000).宽带Ⅱ—Ⅵ族半导体和低维结构材料及其光学性能研究进展.光机电信息(04),6-9. |
| MLA | 范希武."宽带Ⅱ—Ⅵ族半导体和低维结构材料及其光学性能研究进展".光机电信息 .04(2000):6-9. |
入库方式： OAI收割
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