高功率808 nmInGaAsP-GaAs分别限制结构的半导体激光器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 朱宝仁 ; 张兴德 ; 薄报学 ; 张宝顺 ; 杨忠和 |
| 刊名 | 光学学报
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| 出版日期 | 1997-12-05 |
| 期号 | 12页码:15-18 |
| 关键词 | 半导体激光器 高功率 分别限制结构 |
| 公开日期 | 2013-03-11 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/31718]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱宝仁,张兴德,薄报学,等. 高功率808 nmInGaAsP-GaAs分别限制结构的半导体激光器[J]. 光学学报,1997(12):15-18. |
| APA | 朱宝仁,张兴德,薄报学,张宝顺,&杨忠和.(1997).高功率808 nmInGaAsP-GaAs分别限制结构的半导体激光器.光学学报(12),15-18. |
| MLA | 朱宝仁,et al."高功率808 nmInGaAsP-GaAs分别限制结构的半导体激光器".光学学报 .12(1997):15-18. |
入库方式： OAI收割
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