CdS／CuInSe_2异质结内建电压测试理论和方法的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 杨文库 ; 杨宇欣 ; 邓文荣 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1995-09-08 |
| 期号 | 09页码:669-672 |
| 关键词 | 异质结:6566 内建电压:5958 CuInSe_2:3548 理论和方法:2277 零偏压:1208 电荷密度:817 异质结光电池:666 介电常数:603 泊松方程:572 有效空间:567 |
| 公开日期 | 2013-03-11 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/31939]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨文库,杨宇欣,邓文荣. CdS／CuInSe_2异质结内建电压测试理论和方法的研究[J]. 半导体学报,1995(09):669-672. |
| APA | 杨文库,杨宇欣,&邓文荣.(1995).CdS／CuInSe_2异质结内建电压测试理论和方法的研究.半导体学报(09),669-672. |
| MLA | 杨文库,et al."CdS／CuInSe_2异质结内建电压测试理论和方法的研究".半导体学报 .09(1995):669-672. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。