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液相外延生长超薄有源层Al_xGa_(1-x)As/GaAs分别限制双异质结构激光器

文献类型:期刊论文

作者任大翠 ; 李含轩 ; 薄报学
刊名光学学报
出版日期1995-10-05
期号10页码:1288-1291
关键词液相外延生长 分别限制双异质结构LDs 超薄有源层
公开日期2013-03-11
源URL[http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/32027]  
专题长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式
GB/T 7714
任大翠,李含轩,薄报学. 液相外延生长超薄有源层Al_xGa_(1-x)As/GaAs分别限制双异质结构激光器[J]. 光学学报,1995(10):1288-1291.
APA 任大翠,李含轩,&薄报学.(1995).液相外延生长超薄有源层Al_xGa_(1-x)As/GaAs分别限制双异质结构激光器.光学学报(10),1288-1291.
MLA 任大翠,et al."液相外延生长超薄有源层Al_xGa_(1-x)As/GaAs分别限制双异质结构激光器".光学学报 .10(1995):1288-1291.

入库方式: OAI收割

来源:长春光学精密机械与物理研究所

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