液相外延生长超薄有源层Al_xGa_（1－x）As／GaAs分别限制双异质结构激光器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 任大翠 ; 李含轩 ; 薄报学 |
| 刊名 | 光学学报
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| 出版日期 | 1995-10-05 |
| 期号 | 10页码:1288-1291 |
| 关键词 | 液相外延生长 分别限制双异质结构LDs 超薄有源层 |
| 公开日期 | 2013-03-11 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/32027]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 任大翠,李含轩,薄报学. 液相外延生长超薄有源层Al_xGa_（1－x）As／GaAs分别限制双异质结构激光器[J]. 光学学报,1995(10):1288-1291. |
| APA | 任大翠,李含轩,&薄报学.(1995).液相外延生长超薄有源层Al_xGa_（1－x）As／GaAs分别限制双异质结构激光器.光学学报(10),1288-1291. |
| MLA | 任大翠,et al."液相外延生长超薄有源层Al_xGa_（1－x）As／GaAs分别限制双异质结构激光器".光学学报 .10(1995):1288-1291. |
入库方式： OAI收割
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