液相外延生长超薄有源层Al_xGa_(1-x)As/GaAs分别限制双异质结构激光器
文献类型:期刊论文
作者 | 任大翠 ; 李含轩 ; 薄报学 |
刊名 | 光学学报
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出版日期 | 1995-10-05 |
期号 | 10页码:1288-1291 |
关键词 | 液相外延生长 分别限制双异质结构LDs 超薄有源层 |
公开日期 | 2013-03-11 |
源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/32027] ![]() |
专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 任大翠,李含轩,薄报学. 液相外延生长超薄有源层Al_xGa_(1-x)As/GaAs分别限制双异质结构激光器[J]. 光学学报,1995(10):1288-1291. |
APA | 任大翠,李含轩,&薄报学.(1995).液相外延生长超薄有源层Al_xGa_(1-x)As/GaAs分别限制双异质结构激光器.光学学报(10),1288-1291. |
MLA | 任大翠,et al."液相外延生长超薄有源层Al_xGa_(1-x)As/GaAs分别限制双异质结构激光器".光学学报 .10(1995):1288-1291. |
入库方式: OAI收割
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