坩埚下降法生长CaF_2晶体中热传导率对界面形状的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吕志新 ; 崔凤柱 |
| 刊名 | 人工晶体学报
 |
| 出版日期 | 1991-12-31 |
| 期号 | Z1页码:254 |
| 关键词 | 坩埚下降法生长:7363 界面形状:4167 热传导率:3518 CaF_2:3392 光学均匀性:1196 晶体材料:919 透过率:859 中国科学院:753 暗视场:697 干涉图:675 |
| 公开日期 | 2013-03-11 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/32201]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吕志新,崔凤柱. 坩埚下降法生长CaF_2晶体中热传导率对界面形状的影响[J]. 人工晶体学报,1991(Z1):254. |
| APA | 吕志新,&崔凤柱.(1991).坩埚下降法生长CaF_2晶体中热传导率对界面形状的影响.人工晶体学报(Z1),254. |
| MLA | 吕志新,et al."坩埚下降法生长CaF_2晶体中热传导率对界面形状的影响".人工晶体学报 .Z1(1991):254. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。