InGaAsP/GaAs单量子阱半导体激光器光学特性的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 杨进华 ; 任大翠 ; 张剑家 ; 杜宝勋 ; 张兴德 |
| 刊名 | 中国激光
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| 出版日期 | 2000-08-25 |
| 期号 | 08页码:687-690 |
| 关键词 | 半导体激光器 分别限制异质结构 光波导 |
| 公开日期 | 2013-03-12 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/32498]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨进华,任大翠,张剑家,等. InGaAsP/GaAs单量子阱半导体激光器光学特性的研究[J]. 中国激光,2000(08):687-690. |
| APA | 杨进华,任大翠,张剑家,杜宝勋,&张兴德.(2000).InGaAsP/GaAs单量子阱半导体激光器光学特性的研究.中国激光(08),687-690. |
| MLA | 杨进华,et al."InGaAsP/GaAs单量子阱半导体激光器光学特性的研究".中国激光 .08(2000):687-690. |
入库方式： OAI收割
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