金兹堡—朗道(GL)理论在高Tc超导薄膜制备中的应用
文献类型：会议论文
| 作者 | 刘景和 ; 周勇 |
| 出版日期 | 1992 |
| 会议地点 | 中国广西桂林 |
| 关键词 | 薄膜制备:6215 临界电流密度:5197 超导薄膜:4077 二级相变:2606 自由能:1856 超导膜:1834 膜技术:1137 薄膜表面:1008 制膜工艺:1007 超导电子:889 |
| 中文摘要 | <正>1引言自高TcY系超导体材料出现以来,形成了世界范围内的超导热。基于基础研究和应用研究的同时,人们都在寻找相应材料的超导薄膜的应用。由于超导薄膜的临界电流密度要求达到10~4～10~8A/cm~2才能获得应用,而一般条件下Jc只在10~2～10~3A/cm~2,为此提高Tc和Jc是至关重要的。 |
| 收录类别 | 中国会议 |
| 会议录出版者 | 中国仪器仪表学会仪表材料学会、机电部重庆仪表材料研究所、《功能材料》编辑部 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/32698]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出_会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘景和,周勇. 金兹堡—朗道(GL)理论在高Tc超导薄膜制备中的应用[C]. 见:. 中国广西桂林. |
入库方式： OAI收割
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