CdSe-ZnSe单量子阱激子复合的温度效应
文献类型：会议论文
| 作者 | 申德振
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| 出版日期 | 2001 |
| 会议地点 | 中国北京 |
| 关键词 | 单量子阱:5588 量子限制效应:3381 温度效应:3316 激子特性:3036 量子阱结构:2737 分子束外延:2580 光电子材料:2533 复合过程:2523 纳米结构:2366 半导体:2139 |
| 中文摘要 | <正> ZnSe基Ⅱ-Ⅵ族量子结构是具有应用前景的低维纳米结构半导体。利用量子限制效应对激子特性的影响,可以设计具有不同功能的量子结构光电子材料。本文报道我们在不同温度下对CdSe-ZnSe单量子阱激子复合过程的研究。实验所用的样品是用分子束外延系统在GaAs衬底上生长的ZnSe-CdSe-ZnSe单量子阱结构。首先在GaAs衬底上沉积100 |
| 收录类别 | 中国会议 |
| 会议录 | 第九届全国发光学术会议摘要集
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| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/32705]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出_会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 申德振. CdSe-ZnSe单量子阱激子复合的温度效应[C]. 见:. 中国北京. |
入库方式： OAI收割
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