Zn离子注入SiO_2薄膜后退火形成球型ZnO纳米粒子的结构和紫外发光
文献类型：会议论文
| 作者 | 申德振
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| 出版日期 | 2001-09-01 |
| 会议地点 | 中国吉林长春 |
| 关键词 | 纳米粒子:7123 紫外发光:5215 球型:2156 自由激子:2129 氧气氛:1700 离子注入:1648 退火温度:1629 半导体材料:1504 退火时间:1101 宽带隙:1059 |
| 中文摘要 | <正>氧化锌是具有六方结构的宽带隙(室温为3.3 eV)半导体材料,激子束缚能高达60 meV,因而在室温下可得到自由激子的发射,ZnO材料是继GaN宽带隙半导体材料之后又一研究热点。 |
| 收录类别 | 中国会议 |
| 会议录出版者 | 中国科学技术出版社 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/32732]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出_会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 申德振. Zn离子注入SiO_2薄膜后退火形成球型ZnO纳米粒子的结构和紫外发光[C]. 见:. 中国吉林长春. |
入库方式： OAI收割
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