ZnO覆盖的Si衬底上ZnCdTe-ZnTe量子阱的生长
文献类型：会议论文
| 作者 | 张振中 ; 申德振
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| 出版日期 | 2001 |
| 会议地点 | 中国厦门 |
| 关键词 | ZnCdTe-ZnTe量子阱 ZnO覆盖层 Si衬底 |
| 中文摘要 | 硅作为一种工艺成熟的半导体材料,为电子学的发展作出了巨大的贡献,但信息技术的兴起使人们想到若把硅基电子学与光子学相结合,必将引发Si 基集成电路和光电子技术的革命。在本文中,我们用低压有机金属化学气相沉积(MOCVD)方法在ZnO 覆盖Si(100)衬底上外延生长了ZnCdTe-ZnTe量子阱结构,并与直接在Si(100)衬底上生长的同一结构进行了比较,通过对它们表面形貌及发光光谱的比较,我们发现,有ZnO 覆盖层时,外延层的表面裂纹消失,并且发光效率明显提高。所以,我们认为ZnO 的存在有助于ZnCdTe-ZnTe 量子阱结构质量的提高。 |
| 收录类别 | 中国会议 |
| 会议录出版者 | 重庆仪表材料研究所、中国仪器仪表学会仪表材料学会、《功能材料》编辑部、国家仪表功能材料工程技术研究中心 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/32738]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出_会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张振中,申德振. ZnO覆盖的Si衬底上ZnCdTe-ZnTe量子阱的生长[C]. 见:. 中国厦门. |
入库方式： OAI收割
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