13．2W连续输出1540nm波段半导体激光阵列模块
文献类型：会议论文
| 作者 | 王立军
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| 出版日期 | 2006-03-01 |
| 会议地点 | 中国四川绵阳 |
| 关键词 | 激光技术 半导体激光阵列模块 高功率 特征温度 高反膜 增透膜 |
| 中文摘要 | 利用 InGaAsP/InP 应变量子阱外延层材料制作出高功率半导体激光阵列模块。激光芯片宽1cm,腔长 1000μm,条宽100μm,填充密度为20%,前后腔面光学膜分别为单层 Al_2O_3和3(Si/Al_2O_3),特征温度为68K,室温连续输出功率达到13．2W,器件光谱中心波长为1535．5nm,光谱宽度(FWHM)为6．5nm。 |
| 收录类别 | 中国会议 |
| 会议录出版者 | 科学出版社 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/32783]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出_会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王立军. 13．2W连续输出1540nm波段半导体激光阵列模块[C]. 见:. 中国四川绵阳. |
入库方式： OAI收割
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