InGaAs量子点自发发射及光增益特性
文献类型：会议论文
| 作者 | 宁永强 ; 王立军
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| 出版日期 | 2001-09-01 |
| 会议地点 | 中国吉林长春 |
| 关键词 | 量子点激光器:7176 自发发射:5191 电流密度:2142 光增益:2055 温度稳定性:1943 微分增益:1800 增益特性:1633 不均匀性:1109 激发态:1098 量子阱材料:781 |
| 中文摘要 | <正>半导体量子点材料及光电器件的研究近年来成为研究的热门课题。理论上预言量子点激光器比量子阱、量子线激光器具有更好的激射特性。同量子阱、量子线相比,量子点在三个维度上的尺寸都与电子德布罗意波相当,使电子态密度呈α函数形式,大大增加了电子在分立能级上的态 |
| 收录类别 | 中国会议 |
| 会议录出版者 | 新世纪 新机遇 新挑战——知识创新和高新技术产业发展（上册） |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/32789]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出_会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宁永强,王立军. InGaAs量子点自发发射及光增益特性[C]. 见:. 中国吉林长春. |
入库方式： OAI收割
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