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离子注入及后退火方法制备的高质量镶嵌在SiO_2基质中的ZnO纳米粒子的结构和光学性质

文献类型:会议论文

作者孔祥贵; 申德振
出版日期2001
会议地点中国北京
关键词纳米粒子:5004 离子注入:4779 光学性质:3162 高质量:2807 退火温度:2626 退火时间:2603 光学纯:2452 实验条件:2359 制备过程:2204 物理研究所:2025
中文摘要<正> 为了避免制备过程中反应气源对ZnO材料的沾污,同时获得具有(002)择优取向和强紫外发射的ZnO,我们利用离子注入及后退火方法在光学纯的石英衬底中注入3×10~(17)cm~(-2)剂量的Zn离子,然后在不同的退火温度、气氛和退火时间实验条件下制备了高质量的镶嵌在SiO_2基质中的ZnO纳米粒
收录类别中国会议
会议录出版者第九届全国发光学术会议摘要集
源URL[http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/32809]  
专题长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出_会议论文
推荐引用方式
GB/T 7714
孔祥贵,申德振. 离子注入及后退火方法制备的高质量镶嵌在SiO_2基质中的ZnO纳米粒子的结构和光学性质[C]. 见:. 中国北京.

入库方式: OAI收割

来源:长春光学精密机械与物理研究所

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