离子注入及后退火方法制备的高质量镶嵌在SiO_2基质中的ZnO纳米粒子的结构和光学性质
文献类型:会议论文
作者 | 孔祥贵![]() ![]() |
出版日期 | 2001 |
会议地点 | 中国北京 |
关键词 | 纳米粒子:5004 离子注入:4779 光学性质:3162 高质量:2807 退火温度:2626 退火时间:2603 光学纯:2452 实验条件:2359 制备过程:2204 物理研究所:2025 |
中文摘要 | <正> 为了避免制备过程中反应气源对ZnO材料的沾污,同时获得具有(002)择优取向和强紫外发射的ZnO,我们利用离子注入及后退火方法在光学纯的石英衬底中注入3×10~(17)cm~(-2)剂量的Zn离子,然后在不同的退火温度、气氛和退火时间实验条件下制备了高质量的镶嵌在SiO_2基质中的ZnO纳米粒 |
收录类别 | 中国会议 |
会议录出版者 | 第九届全国发光学术会议摘要集 |
源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/32809] ![]() |
专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出_会议论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 孔祥贵,申德振. 离子注入及后退火方法制备的高质量镶嵌在SiO_2基质中的ZnO纳米粒子的结构和光学性质[C]. 见:. 中国北京. |
入库方式: OAI收割
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