980nm垂直腔底发射激光器注入电流输运分布计算和调控
文献类型：会议论文
| 作者 | 宁永强
|
| 出版日期 | 2011 |
| 会议地点 | 中国北京 |
| 关键词 | VCSEL 注入电流分布 注入电流效率. |
| 中文摘要 | 本文通过建立电阻和二极管复合网络模型,计算研究了含限流层的980nm大孔径底发射VCSEL激光器注入电流输运分布规律及其调控,以改进器件的横向增益分布和近场光学模式。计算结果表明,在大孔径器件的设计中,限流孔靠近激光有源区可以有效提高注入电流的利用率;减小p电极半径可以使注入电流分布向中央汇合,从而有利于获得近场光强分布更为均匀的低阶模或准基模输出;增加器件厚度也会有利于减小p电极半径边缘附近的电流峰值,使电流分布进一步向中心会聚,有利于形成近高斯的分布形式。 |
| 收录类别 | 中国会议 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/32874]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出_会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宁永强. 980nm垂直腔底发射激光器注入电流输运分布计算和调控[C]. 见:. 中国北京. |
入库方式： OAI收割
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