基质去除型0.6瓦半导体薄片激光器
文献类型：会议论文
| 作者 | 秦莉
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| 出版日期 | 2012-04-20 |
| 会议地点 | 中国广东深圳 |
| 关键词 | 半导体薄片激光器 基质去除 高功率 光束质量 |
| 中文摘要 | 报道了一种1015nm波长、高功率、高光束质量的InGaAs/GaAs量子阱半导体薄片激光器。半导体外延片采用反序生长:基质之上是窗口层,分布布拉格反射镜最后生长。然后外延片被倒过来,用毛细键合方法键合在一片SiC热沉上,再用化学腐蚀的方法去除基质。基质刻蚀之后的外延片总厚度小于10μm,这极大地改善了激光器的散热性能,从而在输出镜耦合输出率为3%、泵浦功率为3.2W时,获得了超过0.6W的激光输出功率。测量所得M2因子为1.02和1.01,显示了近衍射极限的良好光束质量。为了更进一步揭示这种基质去除型结构在热性能方面的特点,文章还数值分析了增益片中的热流及温度分布,并对相应的结果作了讨论。 |
| 收录类别 | 中国会议 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/32914]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出_会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 秦莉. 基质去除型0.6瓦半导体薄片激光器[C]. 见:. 中国广东深圳. |
入库方式： OAI收割
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