Well-width dependence of the emission linewidth in ZnO/MgZnO quantum wells
文献类型：期刊论文
| 作者 | Lv XQ (Lv, Xue-Qin) ; Zhang JY (Zhang, Jiang-Yong) ; Ying LY (Ying, Lei-Ying) ; Liu WJ (Liu, Wen-Jie) ; Hu XL (Hu, Xiao-Long) ; Zhang BP (Zhang, Bao-Ping) ; Qui ZR (Qui, Zhi-Ren) ; Kuboya S (Kuboya, Shigeyuki) ; Onabe K (Onabe, Kentaro) |
| 刊名 | nanoscale research letters
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| 出版日期 | 2012 |
| 卷号 | 7页码:605 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-03-26 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23756]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Lv XQ ,Zhang JY ,Ying LY ,et al. Well-width dependence of the emission linewidth in ZnO/MgZnO quantum wells[J]. nanoscale research letters,2012,7:605. |
| APA | Lv XQ .,Zhang JY .,Ying LY .,Liu WJ .,Hu XL .,...&Onabe K .(2012).Well-width dependence of the emission linewidth in ZnO/MgZnO quantum wells.nanoscale research letters,7,605. |
| MLA | Lv XQ ,et al."Well-width dependence of the emission linewidth in ZnO/MgZnO quantum wells".nanoscale research letters 7(2012):605. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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