与GaN晶格匹配的AlInN材料的MOCVD生长及其性质研究
文献类型:学位论文
作者 | 卢国军 |
学位类别 | 博士 |
答辩日期 | 2009 |
授予单位 | 中国科学院半导体研究所 |
授予地点 | 北京 |
导师 | 杨辉 |
英文摘要 | Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-04-13T11:45:31Z; Made available in DSpace on 2009-04-13T11:45:31Z (GMT).; Made available in DSpace on 2009-09-10T06:08:22Z (GMT). No. of bitstreams: 1 disk/eh2009/lgj.pdf: 4211836 bytes, checksum: b2b05756011e2a4c6f0aa6af8be0f2e3 (MD5) Previous issue date: 2009 |
学科主题 | 物理电子学 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2009-04-13 ; 2009-09-10 ; 2010-10-15 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/6150] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 卢国军. 与GaN晶格匹配的AlInN材料的MOCVD生长及其性质研究[D]. 北京. 中国科学院半导体研究所. 2009. |
入库方式: OAI收割
来源:半导体研究所
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