In(Ga)N/GaN异质外延纳米结构的生长以及表征
文献类型：学位论文
| 作者 | 孙苋 |
| 学位类别 | 博士 |
| 答辩日期 | 2009 |
| 授予单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 授予地点 | 北京 |
| 导师 | 杨辉 |
| 英文摘要 | Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-04-13T11:45:31Z; Made available in DSpace on 2009-04-13T11:45:31Z (GMT).; Made available in DSpace on 2009-09-10T06:08:23Z (GMT). No. of bitstreams: 1 disk/eh2009/sunxian.pdf: 5619555 bytes, checksum: 59f15a912fc7c8f8900df7f152699556 (MD5) Previous issue date: 2009 |
| 学科主题 | 微电子学与固体电子学 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2009-04-13 ; 2009-09-10 ; 2010-10-15 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/6164]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙苋. In(Ga)N/GaN异质外延纳米结构的生长以及表征[D]. 北京. 中国科学院半导体研究所. 2009. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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