High-brightness 1.3 mu m InAs/GaAs quantum dot tapered laser with high temperature stability
文献类型：期刊论文
| 作者 | Cao YL (Cao, Yulian) ; Ji HM (Ji, Haiming) ; Xu PF (Xu, Pengfei) ; Gu YX (Gu, Yongxian) ; Ma WQ (Ma, Wenquan) ; Yang T (Yang, Tao) |
| 刊名 | optics letters
 |
| 出版日期 | 2012 |
| 卷号 | 37期号:19页码:4071-4073 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-03-27 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23802]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Cao YL ,Ji HM ,Xu PF ,et al. High-brightness 1.3 mu m InAs/GaAs quantum dot tapered laser with high temperature stability[J]. optics letters,2012,37(19):4071-4073. |
| APA | Cao YL ,Ji HM ,Xu PF ,Gu YX ,Ma WQ ,&Yang T .(2012).High-brightness 1.3 mu m InAs/GaAs quantum dot tapered laser with high temperature stability.optics letters,37(19),4071-4073. |
| MLA | Cao YL ,et al."High-brightness 1.3 mu m InAs/GaAs quantum dot tapered laser with high temperature stability".optics letters 37.19(2012):4071-4073. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。