Polarization Coulomb field scattering in In0.18Al0.82N/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
文献类型：期刊论文
| 作者 | Luan CB (Luan, Chongbiao) ; Lin ZJ (Lin, Zhaojun) ; Feng ZH (Feng, Zhihong) ; Meng LG (Meng, Lingguo) ; Lv YJ (Lv, Yuanjie) ; Cao ZF (Cao, Zhifang) ; Yu YX (Yu, Yingxia) ; Wang ZG (Wang, Zhanguo) |
| 刊名 | journal of applied physics
 |
| 出版日期 | 2012 |
| 卷号 | 112期号:5页码:054513 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-04-02 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23866]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Luan CB ,Lin ZJ ,Feng ZH ,et al. Polarization Coulomb field scattering in In0.18Al0.82N/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors[J]. journal of applied physics,2012,112(5):054513. |
| APA | Luan CB .,Lin ZJ .,Feng ZH .,Meng LG .,Lv YJ .,...&Wang ZG .(2012).Polarization Coulomb field scattering in In0.18Al0.82N/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors.journal of applied physics,112(5),054513. |
| MLA | Luan CB ,et al."Polarization Coulomb field scattering in In0.18Al0.82N/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors".journal of applied physics 112.5(2012):054513. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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