Anomalous temperature dependence of photoluminescence in self-assembled InGaN quantum dots
文献类型：期刊论文
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| 作者 | Ma J (Ma, Jun); Ji XL (Ji, Xiaoli); Wang GH (Wang, Guohong); Wei XC (Wei, Xuecheng); Lu HX (Lu, Hongxi); Yi XY (Yi, Xiaoyan); Duan RF (Duan, Ruifei); Wang JX (Wang, Junxi); Zeng YP (Zeng, Yiping); Li JM (Li, Jinmin) |
| 刊名 | applied physics letters
 ; APPLIED PHYSICS LETTERS
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| 出版日期 | 2012 ; 2012 |
| 卷号 | 101期号:13页码:131101 |
| 学科主题 | 半导体器件 ; 半导体器件 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 ; 英语 |
| 公开日期 | 2013-03-27 ; 2013-03-27 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23823]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体照明研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Ma J ,Ji XL ,Wang GH ,et al. Anomalous temperature dependence of photoluminescence in self-assembled InGaN quantum dots, Anomalous temperature dependence of photoluminescence in self-assembled InGaN quantum dots[J]. applied physics letters, APPLIED PHYSICS LETTERS,2012, 2012,101, 101(13):131101, 131101. |
| APA | Ma J .,Ji XL .,Wang GH .,Wei XC .,Lu HX .,...&Zou G .(2012).Anomalous temperature dependence of photoluminescence in self-assembled InGaN quantum dots.applied physics letters,101(13),131101. |
| MLA | Ma J ,et al."Anomalous temperature dependence of photoluminescence in self-assembled InGaN quantum dots".applied physics letters 101.13(2012):131101. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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