Defect of Te-doped GaSb layers grown by molecular beam epitaxy
文献类型：期刊论文
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| 作者 | Chen Y (Chen Yan); Deng AH (Deng Ai-Hong); Tang B (Tang Bao); Wang GW (Wang Guo-Wei); Xu YQ (Xu Ying-Qiang); Niu ZC (Niu Zhi-Chuan) |
| 刊名 | journal of infrared and millimeter waves
 ; JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES
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| 出版日期 | 2012 ; 2012 |
| 卷号 | 31期号:4页码:298-301 |
| 学科主题 | 半导体物理 ; 半导体物理 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 ; 英语 |
| 公开日期 | 2013-04-02 ; 2013-04-02 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23857]  |
| 专题 | 半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Chen Y ,Deng AH ,Tang B ,et al. Defect of Te-doped GaSb layers grown by molecular beam epitaxy, Defect of Te-doped GaSb layers grown by molecular beam epitaxy[J]. journal of infrared and millimeter waves, JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES,2012, 2012,31, 31(4):298-301, 298-301. |
| APA | Chen Y ,Deng AH ,Tang B ,Wang GW ,Xu YQ ,&Niu ZC .(2012).Defect of Te-doped GaSb layers grown by molecular beam epitaxy.journal of infrared and millimeter waves,31(4),298-301. |
| MLA | Chen Y ,et al."Defect of Te-doped GaSb layers grown by molecular beam epitaxy".journal of infrared and millimeter waves 31.4(2012):298-301. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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