High-brightness 1.3 μm InAs/GaAs quantum dot tapered laser with high temperature stability
文献类型：期刊论文
| 作者 | Cao, Yulian1 ; Ji, Haiming2 ; Xu, Pengfei2 ; Gu, Yongxian2 ; Ma, Wenquan1 ; Yang, Tao2 |
| 刊名 | Optics Letters
 |
| 出版日期 | 2012 |
| 卷号 | 37期号:19页码:4071-4073 |
| 学科主题 | 半导体材料 |
| 收录类别 | EI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-04-02 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23873]  |
| 专题 | 半导体研究所_纳米光电子实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Cao, Yulian1,Ji, Haiming2,Xu, Pengfei2,et al. High-brightness 1.3 μm InAs/GaAs quantum dot tapered laser with high temperature stability[J]. Optics Letters,2012,37(19):4071-4073. |
| APA | Cao, Yulian1,Ji, Haiming2,Xu, Pengfei2,Gu, Yongxian2,Ma, Wenquan1,&Yang, Tao2.(2012).High-brightness 1.3 μm InAs/GaAs quantum dot tapered laser with high temperature stability.Optics Letters,37(19),4071-4073. |
| MLA | Cao, Yulian1,et al."High-brightness 1.3 μm InAs/GaAs quantum dot tapered laser with high temperature stability".Optics Letters 37.19(2012):4071-4073. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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