Ultra Low Dark Current, High Responsivity and Thin Multiplication Region in InGaAs/InP Avalanche Photodiodes
文献类型：期刊论文
| 作者 | Li B (Li Bin) ; Yang HW (Yang Huai-Wei) ; Gui Q (Gui Qiang) ; Yang XH (Yang Xiao-Hong) ; Wang J (Wang Jie) ; Wang XP (Wang Xiu-Ping) ; Liu SQ (Liu Shao-Qing) ; Han Q (Han Qin) |
| 刊名 | chinese physics letters
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| 出版日期 | 2012 |
| 卷号 | 29期号:11页码:118503 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-03-27 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23810]  |
| 专题 | 半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Li B ,Yang HW ,Gui Q ,et al. Ultra Low Dark Current, High Responsivity and Thin Multiplication Region in InGaAs/InP Avalanche Photodiodes[J]. chinese physics letters,2012,29(11):118503. |
| APA | Li B .,Yang HW .,Gui Q .,Yang XH .,Wang J .,...&Han Q .(2012).Ultra Low Dark Current, High Responsivity and Thin Multiplication Region in InGaAs/InP Avalanche Photodiodes.chinese physics letters,29(11),118503. |
| MLA | Li B ,et al."Ultra Low Dark Current, High Responsivity and Thin Multiplication Region in InGaAs/InP Avalanche Photodiodes".chinese physics letters 29.11(2012):118503. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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