Germanium-Tin n(+)/p Junction Formed Using Phosphorus Ion Implant and 400 degrees C Rapid Thermal Anneal
文献类型：期刊论文
| 作者 | Wang LX (Wang, Lanxiang) ; Su SJ (Su, Shaojian) ; Wang W (Wang, Wei) ; Yang Y (Yang, Yue) ; Tong Y (Tong, Yi) ; Liu B (Liu, Bin) ; Guo PF (Guo, Pengfei) ; Gong X (Gong, Xiao) ; Zhang GZ (Zhang, Guangze) ; Xue CL (Xue, Chunlai) ; Cheng BW (Cheng, Buwen) ; Han GQ (Han, Genquan) ; Yeo YC (Yeo, Yee-Chia) |
| 刊名 | ieee electron device letters
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| 出版日期 | 2012 |
| 卷号 | 33期号:11页码:1529-1531 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-03-27 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23812]  |
| 专题 | 半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wang LX ,Su SJ ,Wang W ,et al. Germanium-Tin n(+)/p Junction Formed Using Phosphorus Ion Implant and 400 degrees C Rapid Thermal Anneal[J]. ieee electron device letters,2012,33(11):1529-1531. |
| APA | Wang LX .,Su SJ .,Wang W .,Yang Y .,Tong Y .,...&Yeo YC .(2012).Germanium-Tin n(+)/p Junction Formed Using Phosphorus Ion Implant and 400 degrees C Rapid Thermal Anneal.ieee electron device letters,33(11),1529-1531. |
| MLA | Wang LX ,et al."Germanium-Tin n(+)/p Junction Formed Using Phosphorus Ion Implant and 400 degrees C Rapid Thermal Anneal".ieee electron device letters 33.11(2012):1529-1531. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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