Enhanced photoluminescence and electroluminescence of multilayer GeSi islands on Si(001) substrates by phosphorus-doping
文献类型:期刊论文
作者 | Liu Z (Liu, Zhi) ; Hu WX (Hu, Weixuan) ; Su SJ (Su, Shaojian) ; Li C (Li, Chong) ; Li CB (Li, Chuanbo) ; Xue CL (Xue, Chunlai) ; Li YM (Li, Yaming) ; Zuo YH (Zuo, Yuhua) ; Cheng BW (Cheng, Buwen) ; Wang QM (Wang, Qiming) |
刊名 | optics express |
出版日期 | 2012 |
卷号 | 20期号:20页码:22327-22333 |
学科主题 | 光电子学 |
收录类别 | SCI |
语种 | 英语 |
公开日期 | 2013-03-27 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23824] |
专题 | 半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Liu Z ,Hu WX ,Su SJ ,et al. Enhanced photoluminescence and electroluminescence of multilayer GeSi islands on Si(001) substrates by phosphorus-doping[J]. optics express,2012,20(20):22327-22333. |
APA | Liu Z .,Hu WX .,Su SJ .,Li C .,Li CB .,...&Wang QM .(2012).Enhanced photoluminescence and electroluminescence of multilayer GeSi islands on Si(001) substrates by phosphorus-doping.optics express,20(20),22327-22333. |
MLA | Liu Z ,et al."Enhanced photoluminescence and electroluminescence of multilayer GeSi islands on Si(001) substrates by phosphorus-doping".optics express 20.20(2012):22327-22333. |
入库方式: OAI收割
来源:半导体研究所
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