Dislocation Behavior in AlGaN/GaN Multiple Quantum-Well Films Grown with Different Interlayers
文献类型：期刊论文
| 作者 | Sun HH (Sun He-Hui) ; Guo FY (Guo Feng-Yun) ; Li DY (Li Deng-Yue) ; Wang L (Wang Lu) ; Zhao DG (Zhao De-Gang) ; Zhao LC (Zhao Lian-Cheng) |
| 刊名 | chinese physics letters
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| 出版日期 | 2012 |
| 卷号 | 29期号:9页码:096101 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-04-02 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23847]  |
| 专题 | 半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Sun HH ,Guo FY ,Li DY ,et al. Dislocation Behavior in AlGaN/GaN Multiple Quantum-Well Films Grown with Different Interlayers[J]. chinese physics letters,2012,29(9):096101. |
| APA | Sun HH ,Guo FY ,Li DY ,Wang L ,Zhao DG ,&Zhao LC .(2012).Dislocation Behavior in AlGaN/GaN Multiple Quantum-Well Films Grown with Different Interlayers.chinese physics letters,29(9),096101. |
| MLA | Sun HH ,et al."Dislocation Behavior in AlGaN/GaN Multiple Quantum-Well Films Grown with Different Interlayers".chinese physics letters 29.9(2012):096101. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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