Positive and negative effects of oxygen in thermal annealing of p-type GaN
文献类型：期刊论文
| 作者 | Wu LL (Wu, L. L.) ; Zhao DG (Zhao, D. G.) ; Jiang DS (Jiang, D. S.) ; Chen P (Chen, P.) ; Le LC (Le, L. C.) ; Li L (Li, L.) ; Liu ZS (Liu, Z. S.) ; Zhang SM (Zhang, S. M.) ; Zhu JJ (Zhu, J. J.) ; Wang H (Wang, H.) ; Zhang BS (Zhang, B. S.) ; Yang H (Yang, H.) |
| 刊名 | semiconductor science and technology
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| 出版日期 | 2012 |
| 卷号 | 27期号:8页码:085017 |
| 学科主题 | 光电子学 |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2013-04-02 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/23840]  |
| 专题 | 半导体研究所_集成光电子学国家重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wu LL ,Zhao DG ,Jiang DS ,et al. Positive and negative effects of oxygen in thermal annealing of p-type GaN[J]. semiconductor science and technology,2012,27(8):085017. |
| APA | Wu LL .,Zhao DG .,Jiang DS .,Chen P .,Le LC .,...&Yang H .(2012).Positive and negative effects of oxygen in thermal annealing of p-type GaN.semiconductor science and technology,27(8),085017. |
| MLA | Wu LL ,et al."Positive and negative effects of oxygen in thermal annealing of p-type GaN".semiconductor science and technology 27.8(2012):085017. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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