1.3微米InGaAs/GaAs自组织量子点激光器材料及生长该材料的方法
文献类型：专利
| 作者 | 牛智川 ; 封松林 ; 杨富华 ; 王晓东 ; 汪辉 ; 李树英 ; 苗振华 ; 李树深 |
| 发表日期 | 2002-10-02 |
| 专利类型 | 发明 |
| 英文摘要 | Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-06-04T08:36:34Z No. of bitstreams: 1 dspace.cfg: 33388 bytes, checksum: ac9630d3fdb36a155287a049e8b34eb7 (MD5); Made available in DSpace on 2009-06-04T08:36:35Z (GMT). No. of bitstreams: 1 dspace.cfg: 33388 bytes, checksum: ac9630d3fdb36a155287a049e8b34eb7 (MD5) Previous issue date: 2008-08; Made available in DSpace on 2009-06-11T08:57:38Z (GMT). No. of bitstreams: 1 full/01104430.pdf: 821822 bytes, checksum: 983ce31ea8f51906e4a5cc7aa1d68d1f (MD5) Previous issue date: |
| 公开日期 | 2009-06-04 ; 2009-06-11 ; 2010-10-15 |
| 申请日期 | 2001-02-26 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN01104430.6 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/3079]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 牛智川,封松林,杨富华,等. 1.3微米InGaAs/GaAs自组织量子点激光器材料及生长该材料的方法. 2002-10-02. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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