无磁场测量稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法
文献类型：专利
| 作者 | 赵建华 ; 蒋春萍 ; 郑厚植 ; 邓加军 ; 杨富华 ; 牛智川 |
| 发表日期 | 2006-08-09 |
| 专利类型 | 发明 |
| 英文摘要 | Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-06-04T08:36:34Z No. of bitstreams: 1 dspace.cfg: 33388 bytes, checksum: ac9630d3fdb36a155287a049e8b34eb7 (MD5); Made available in DSpace on 2009-06-04T08:36:35Z (GMT). No. of bitstreams: 1 dspace.cfg: 33388 bytes, checksum: ac9630d3fdb36a155287a049e8b34eb7 (MD5) Previous issue date: 2008-08; Made available in DSpace on 2009-06-11T08:57:51Z (GMT). No. of bitstreams: 1 full/200510006769.pdf: 372174 bytes, checksum: c5bb74550c065ecc5b053fc401fd84bf (MD5) Previous issue date: |
| 公开日期 | 2009-06-04 ; 2009-06-11 ; 2010-10-15 |
| 申请日期 | 2005-02-04 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200510006769 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/3391]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵建华,蒋春萍,郑厚植,等. 无磁场测量稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法. 2006-08-09. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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