在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法
文献类型：专利
| 作者 | 刘喆 ; 李晋闽 ; 王军喜 ; 王晓亮 ; 王启元 ; 刘宏新 ; 王俊 ; 曾一平 |
| 发表日期 | 2007-05-23 |
| 专利类型 | 发明 |
| 英文摘要 | Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-06-04T08:36:34Z No. of bitstreams: 1 dspace.cfg: 33388 bytes, checksum: ac9630d3fdb36a155287a049e8b34eb7 (MD5); Made available in DSpace on 2009-06-04T08:36:35Z (GMT). No. of bitstreams: 1 dspace.cfg: 33388 bytes, checksum: ac9630d3fdb36a155287a049e8b34eb7 (MD5) Previous issue date: 2008-08; Made available in DSpace on 2009-06-11T08:58:05Z (GMT). No. of bitstreams: 1 full/200510086899.pdf: 440050 bytes, checksum: d2d91e7ccf6b9c6fa5f569a3149f3150 (MD5) Previous issue date: |
| 公开日期 | 2009-06-04 ; 2009-06-11 ; 2010-10-15 |
| 申请日期 | 2005-11-17 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200510086899 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/3693]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘喆,李晋闽,王军喜,等. 在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法. 2007-05-23. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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