碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 王晓亮 ; 胡国新 ; 马志勇 ; 冉学军 ; 王翠敏 ; 肖红领 ; 王军喜 ; 李建平 ; 曾一平 ; 李晋闽 |
| 发表日期 | 2007-07-25 |
| 专利类型 | 发明 |
| 英文摘要 | Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-06-04T08:36:34Z No. of bitstreams: 1 dspace.cfg: 33388 bytes, checksum: ac9630d3fdb36a155287a049e8b34eb7 (MD5); Made available in DSpace on 2009-06-04T08:36:35Z (GMT). No. of bitstreams: 1 dspace.cfg: 33388 bytes, checksum: ac9630d3fdb36a155287a049e8b34eb7 (MD5) Previous issue date: 2008-08; Made available in DSpace on 2009-06-11T08:58:11Z (GMT). No. of bitstreams: 1 full/200610011228.pdf: 741827 bytes, checksum: ec0b1078b04f23b7bcab22cf13e1dc8a (MD5) Previous issue date: |
| 公开日期 | 2009-06-04 ; 2009-06-11 ; 2010-10-15 |
| 申请日期 | 2006-01-18 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200610011228 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/3821]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王晓亮,胡国新,马志勇,等. 碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法. 2007-07-25. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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