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一种半导体列阵器件的微沟道叠层封装方法

文献类型:专利

作者刘媛媛 ; 方高瞻 ; 马骁宇
发表日期2009-02-11
专利类型发明
英文摘要Submitted by zhangdi (zhangdi@red.semi.ac.cn) on 2009-06-04T08:36:34Z No. of bitstreams: 1 dspace.cfg: 33388 bytes, checksum: ac9630d3fdb36a155287a049e8b34eb7 (MD5); Made available in DSpace on 2009-06-04T08:36:35Z (GMT). No. of bitstreams: 1 dspace.cfg: 33388 bytes, checksum: ac9630d3fdb36a155287a049e8b34eb7 (MD5) Previous issue date: 2008-08; Made available in DSpace on 2009-06-11T08:58:33Z (GMT). No. of bitstreams: 1 full/CN200710120051.8.pdf: 814608 bytes, checksum: bc167cb52c177fbd89525d100e3ae32b (MD5) Previous issue date:
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11 ; 2010-10-15
申请日期2007-08-08
语种中文
专利申请号CN200710120051.8
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/4295]  
专题半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
刘媛媛,方高瞻,马骁宇. 一种半导体列阵器件的微沟道叠层封装方法. 2009-02-11.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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