一种利用稀盐酸选择腐蚀砷化铝制作空气隙结构的方法
文献类型：专利
| 作者 | 杨晓红
|
| 发表日期 | 2009-06-17 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中科院半导体研究所 |
| 英文摘要 | 于AD批量导入至AEzhangdi; 于AD批量导入至AEzhangdi |
| 公开日期 | 3998 ; 2010-10-15 |
| 申请日期 | 2007-12-12 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200710179381 |
| 专利代理 | 汤宝平 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/9132]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨晓红. 一种利用稀盐酸选择腐蚀砷化铝制作空气隙结构的方法. 2009-06-17. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。