一种氮化物薄膜外延生长的方法
文献类型：专利
| 作者 | 闫发旺 ; 高海永 ; 张 扬 ; 张会肖 ; 李晋闽 ; 曾一平 ; 王国宏 |
| 发表日期 | 2009-06-03 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中科院半导体研究所 |
| 英文摘要 | 于AD批量导入至AEzhangdi; 于AD批量导入至AEzhangdi |
| 公开日期 | 3996 ; 2010-10-15 |
| 申请日期 | 2007-11-28 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200710178326 |
| 专利代理 | 汤宝平 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/9144]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 闫发旺,高海永,张 扬,等. 一种氮化物薄膜外延生长的方法. 2009-06-03. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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