氧化锌体单晶生长过程中的直接掺杂方法
文献类型：专利
| 作者 | 董志远 ; 赵有文 ; 杨 俊 ; 段满龙 |
| 发表日期 | 2009-05-27 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中科院半导体研究所 |
| 英文摘要 | 于AD批量导入至AEzhangdi; 于AD批量导入至AEzhangdi |
| 公开日期 | 3996 ; 2010-10-15 |
| 申请日期 | 2007-11-21 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200710177781 |
| 专利代理 | 汤宝平 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/9162]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 董志远,赵有文,杨 俊,等. 氧化锌体单晶生长过程中的直接掺杂方法. 2009-05-27. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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