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氧化锌体单晶生长过程中的直接掺杂方法

文献类型:专利

作者董志远 ; 赵有文 ; 杨 俊 ; 段满龙 
发表日期2009-05-27
专利国别中国
专利类型发明
权利人中科院半导体研究所
英文摘要于AD批量导入至AEzhangdi; 于AD批量导入至AEzhangdi
公开日期3996 ; 2010-10-15
申请日期2007-11-21
语种中文
专利申请号CN200710177781
专利代理汤宝平
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/9162]  
专题半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
董志远,赵有文,杨 俊,等. 氧化锌体单晶生长过程中的直接掺杂方法. 2009-05-27.

入库方式: OAI收割

来源:半导体研究所

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