氮化镓基高电子迁移率晶体管结构
文献类型：专利
| 作者 | 王晓亮 ; 唐 健 ; 肖红领 ; 王翠梅 ; 冉学军 ; 胡国新 ; 李晋敏 |
| 发表日期 | 2009-04-01 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中科院半导体研究所 |
| 英文摘要 | 于AD批量导入至AEzhangdi; 于AD批量导入至AEzhangdi |
| 公开日期 | 3990 ; 2010-10-15 |
| 申请日期 | 2007-09-26 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200710122478 |
| 专利代理 | 汤宝平 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/9180]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王晓亮,唐 健,肖红领,等. 氮化镓基高电子迁移率晶体管结构. 2009-04-01. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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