减小温度梯度的激光晶体
文献类型：专利
| 作者 | 李晋闽 ; 林学春 ; 熊 波 ; 侯 玮 ; 郭 林 ; 赵鹏飞 ; 韩泽华 ; 李瑞贤 |
| 发表日期 | 2010-08-12 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 中文摘要 | 本发明一种减小温度梯的激光晶体，包括:一激光晶体;一薄膜层，该薄膜层制作在激光晶体的一个或多个表面上。本发明所述的减小温度梯的激光晶体，具有制作简单、方便且成本低廉，有利于产业化生产的优点。 |
| 英文摘要 | 本发明一种减小温度梯的激光晶体，包括:一激光晶体;一薄膜层，该薄膜层制作在激光晶体的一个或多个表面上。本发明所述的减小温度梯的激光晶体，具有制作简单、方便且成本低廉，有利于产业化生产的优点。; 于AD批量导入至AEzhangdi; Made available in DSpace on 2010-08-12T05:13:35Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3541.pdf: 535063 bytes, checksum: 574afc475778e16b9b8dd53fdb713526 (MD5) |
| 公开日期 | 2010-03-24 ; 2010-08-12 ; 2010-10-15 |
| 申请日期 | 2008-09-17 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200810222337.1 |
| 专利代理 | 汤保平:中科专利商标代理有限责任公司 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13350]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李晋闽,林学春,熊 波,等. 减小温度梯度的激光晶体. 2010-08-12. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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