一种双面键合长波长垂直腔面发射激光器及其制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 渠红伟 ; 郑婉华 ; 刘安金 ; 王 科 ; 张冶金 ; 彭红玲 ; 陈良惠 |
| 发表日期 | 2010-08-12 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 中文摘要 | 本发明是一种双面键合长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL)及其制作方法。所述激光器包括N电极(1)，N型GaAs衬底(2)，N型GaAs/AlGaAs材料系的下分布布拉格反射镜(DBR)(3)，InP基应变量子阱有源区(4)，GaAs/AlGaAs材料系的上DBR(5)，其中上DBR(5)，由P型DBR(6)和本征DBR(7)组成，SiO2掩膜(8)，P电极(9)，出光窗口(10)。所述结构和所述方法改进了传统长波长VCSEL的DBR材料折射率差较小，热导、电导差的缺点，不仅可实现很好的电流限制，而且降低材料的吸收损耗、生长的难度和免去二次外延工艺步骤。 |
| 英文摘要 | 本发明是一种双面键合长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL)及其制作方法。所述激光器包括N电极(1)，N型GaAs衬底(2)，N型GaAs/AlGaAs材料系的下分布布拉格反射镜(DBR)(3)，InP基应变量子阱有源区(4)，GaAs/AlGaAs材料系的上DBR(5)，其中上DBR(5)，由P型DBR(6)和本征DBR(7)组成，SiO2掩膜(8)，P电极(9)，出光窗口(10)。所述结构和所述方法改进了传统长波长VCSEL的DBR材料折射率差较小，热导、电导差的缺点，不仅可实现很好的电流限制，而且降低材料的吸收损耗、生长的难度和免去二次外延工艺步骤。; 于AD批量导入至AEzhangdi; Made available in DSpace on 2010-08-12T05:13:37Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3549.pdf: 2173605 bytes, checksum: 9d09510ca55fa8b52480650cefb03303 (MD5) |
| 公开日期 | 2010-03-10 ; 2010-08-12 ; 2010-10-15 |
| 申请日期 | 2008-09-03 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200810119582.X |
| 专利代理 | 王波波:中科专利商标代理有限责任公司 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13366]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 渠红伟,郑婉华,刘安金,等. 一种双面键合长波长垂直腔面发射激光器及其制作方法. 2010-08-12. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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