一种抑制垂直腔面发射激光器发散角的方法
文献类型：专利
| 作者 | 郑婉华 ; 刘安金 ; 邢名欣 ; 渠宏伟 ; 陈 微 ; 周文君 ; 陈良惠 |
| 发表日期 | 2010-08-12 |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 中文摘要 | 本发明公开了一种抑制垂直腔面发射激光器发散角的方法，该方法是通过在氧化限制型的垂直腔面发射激光器的上DBRs表面刻蚀空气孔图形来实现的。利用本发明，能够有效地抑制垂直腔面发射激光器的发散角，提高垂直腔面发射激光器的性能。 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种抑制垂直腔面发射激光器发散角的方法，该方法是通过在氧化限制型的垂直腔面发射激光器的上DBRs表面刻蚀空气孔图形来实现的。利用本发明，能够有效地抑制垂直腔面发射激光器的发散角，提高垂直腔面发射激光器的性能。; 于AD批量导入至AEzhangdi; Made available in DSpace on 2010-08-12T05:13:37Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3553.pdf: 971810 bytes, checksum: 3507243ec64a11f5601d56d2af9f9a1e (MD5) |
| 公开日期 | 2010-03-03 ; 2010-08-12 ; 2010-10-15 |
| 申请日期 | 2008-08-27 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | CN200810118964.0 |
| 专利代理 | 周国城:中科专利商标代理有限责任公司 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13374]  |
| 专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑婉华,刘安金,邢名欣,等. 一种抑制垂直腔面发射激光器发散角的方法. 2010-08-12. |
入库方式： OAI收割
来源：半导体研究所
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